IPD50R800CEBTMA1 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  IPD50R800CEBTMA1
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies IPD50R800CEBTMA1 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 550 V Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V Continuous Drain Current: 5 A Rds On: 0.8 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: DPAK-3 Fall Time: 15.9 ns Gate Charge Qg: 12.4 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 40 W Rise Time: 5.5 ns Series: IPD50R800 Tradename: CoolMOS Typical Turn-Off Delay Time: 26 ns Part # Aliases: SP000992076
• Количество страниц
  14 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  1,90 MB

IPD50R800CEBTMA1 datasheet скачать

IPD50R800CEBTMA1 datasheet